许多材料当尺寸缩小到某一极限时，会丧失其原来可资利用的性质，此称之为尺寸效应(size effect)。Max Planck Institute of Microstructure Physics的研究人员找出铁电氧化物(ferroelectric oxides)此种材料尺寸效应的一个起因。
为了克服传统材料的物理极限，对电子组件缩小化与效率的持续需求，研究人员卖力的将新材料加入硅基微电子组件。这些新材料需以非常小的空间尺寸来应用，通常这些尺寸落于几个纳米到几十个纳米之间。于纳米等级，大部分材料的性质强烈的受其外在尺寸影响，在某些尺寸以下，甚至会丧失其材料功能。所以于基本材料科学，人们设法清楚的辨识尺寸效应的起因与其运作机构。
Max Planck研究人员发现一定程度、小于0.1纳米直径的线性结晶晶格缺陷，会明显的促成10纳米薄的锆钛酸铅(lead zirconate titanate)孤立岛块(islands)丧失其记忆性质。这些缺陷形成于钛酸锶(strontium titanate)基材与岛块之间的接口。经由定量的高解析电子显微镜，发现称之为不配对差排(misfit dislocations)的线性缺陷，会让一条约4x8纳米矩形截面、20到50纳米长度的材料变形，而使得材料丧失其原有的储存资料性质。如果铁电材料岛块(ferroelectric island)过小，其大部分的体积都由一条条变形的材料所构成，铁电材料则不再能储存任何资料。如果纳米尺寸的铁电氧化物要要使用于储存资料，则必须设法避免晶格缺陷的形成。
Max Planck Institute of Microstructure Physics主任，Professor Ulrich Gösele评论，“不配对差排对半导体纳米结构光学与电学性质的扰乱影响早为所知，不过令人惊讶的是，此问题原来与铁电纳米结构的储存资料性质最为相关”，他认为此发现能为铁电氧化物在微小化存储元件的应用上，开启一个新的可能性，能有系统的选择定义明确的材料组合。
