王占国院士为《六届会》题词

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http://chinafm.org.cn　2007-11-08 14:34:05

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王占国院士，半导体材料物理学家。河南省镇平人。1962年毕业于南开大学物理系。中国科学院半导体所研究员。早期致力于半导体材料光电性质和硅太阳电池辐照效应研究。从1980年起，主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究，提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同一缺陷不同能态的新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论。提出混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型，解释了它们的物理起因。提出了GaAs电学补偿五能级模型和光学补偿新判据。协助林兰英先生，首次在太空从熔体中生长了GaAs单品并对其光电性质作了系统研究。近年来，他领导的实验组又在应变自组装In(Ga)As/GaAs，In(Ga)As/InAIAS/InP等量子点(线)，与量子点(线)超晶格材料生长和大功率量子点激光器研制方面获得突破。最近，他又提出了柔性衬底的概念，开拓了大失配材料体系研制的新方向。1995年当选为中国科学院院士。

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