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原子层沉积技术中电场对ZnO薄膜结晶性能的调制研究

放大字体  缩小字体 发布日期:2014-11-13  来源:2014高层论坛论文集  作者:卢维尔  浏览次数:1723
 原子层沉积技术中电场对ZnO薄膜结晶性能的调制研究
卢维尔,李超波,夏洋,李楠,张艳清
(中国科学院微电子研究所,北京市朝阳区北土城西路3号,100029)

摘要    本文采用一种可变电场调制的原子层沉积技术(E-ALD)制备了氧化锌(ZnO)薄膜。在前驱体脉冲时,通过施加不同大小和方向的电压,可以对制备所得ZnO薄膜的晶体择优取向和结晶性能进行可控调制。当在锌源脉冲时施加正电压,氧源脉冲时施加负电压,制备得到了c轴择优取向的ZnO薄膜。电场对薄膜的调制机理为:当在腔室内施加电场时,极性的前驱体分子受到电场偶极矩的作用,使得分子发生偏转并且沿着电场线方向加速的向衬底运动,这对衬底表面化学反应的强度以及发生反应后分子的排列产生影响,进而影响到制备所得薄膜的结构和性能。这种E-ALD技术为半导体薄膜的制备技术提供了一条新的途径,有望制备出特定性能的薄膜材料。
   14-229.pdf
 
 
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