高介电低损耗聚偏氟乙烯基复合材料的制备及性能研究

放大字体  缩小字体 发布日期:2018-01-30  浏览次数:309
核心提示:高介电低损耗聚偏氟乙烯基复合材料的制备及性能研究吕路路1,2,龙剑平1,朱朋莉2(1. 成都理工大学材料与化学化工学院,成
高介电低损耗聚偏氟乙烯基复合材料的制备及性能研究
吕路路1,2,龙剑平,朱朋莉
(1. 成都理工大学材料与化学化工学院,成都610059;
2. 中科院深圳先进技术研究院先进材料中心,广东深圳518055)

摘 要:随着电子器件的持续小型化及能量密度的持续增加,人们对材料的性能有了更高,更严格的要求,本文通过溶液混合和旋涂法制备了钛酸钡附载的中空多孔碳球聚偏氟乙烯基复合材料薄膜。当填料含量从0 wt %增加至7 wt %时,介电常数从9. 12 增加至48. 52,介电损耗从0. 020 增加至0. 038,当填料增加至9 wt %时,介电常数高达5X10 展示了较高的介电常数和较低的介电损耗,结果表明此方法可以提高聚合物的介电常数并适用于其他碳杂化材料。
关键词:中空多孔碳球;钛酸钡;复合材料;介电性能
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