原位气相反应法制备TiC涂层的工艺研究

放大字体  缩小字体 发布日期:2018-01-30  浏览次数:206
核心提示:原位气相反应法制备TiC 涂层的工艺研究胡 厅,万 红,华 叶(国防科技大学 航天科学与工程学院,长沙410073)摘 要:
原位气相反应法制备TiC 涂层的工艺研究
胡 厅,万 红,华 叶
(国防科技大学 航天科学与工程学院,长沙410073)

摘 要:本文采用原位气相反应法,分别以纯Ti 粉和Ti - Si 合金为Ti 蒸汽形成源,在石墨基体上获得了致密的TiC 层。研究表明,Ti 源和反应温度的不同,所形成的TiC 的晶粒大小和择优取向不同,且涂层的致密度也不同。采用Ti - Si 合金为原料时,1500℃反应温度下的TiC 晶粒尺寸为3μm 左右,晶粒的择优取向面为(200);1600℃反应温度下TiC 晶粒尺寸为12μm 左右,晶粒的择优取向面为(111),且涂层的致密性明显提高。采用纯Ti 为原料时,1850℃反应温度下TiC 晶粒尺寸为11μm 左右,晶粒的择优取向面为(200),且晶粒显示出明显的层状生长方式。
关键词:TiC;涂层;原位气相反应
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