当前位置: 首页 » 新闻资讯 » 学会动态 » 正文

中国科协362次青年科学家论坛报告——负电容FET研究进展与现状分析 肖永光

放大字体  缩小字体 发布日期:2018-12-06  浏览次数:19
核心提示:肖永光,男,中共党员,博士/副教授,硕士生导师,2008年6月毕业于湘潭大学材料与光电物理学院微电子学本科专业。2013年6月获得湘
 
   
 
       肖永光,男,中共党员,博士/副教授,硕士生导师,2008年6月毕业于湘潭大学材料与光电物理学院微电子学本科专业。2013年6月获得湘潭大学材料科学与工程专业博士学位。主要从事铁电场效应晶体管存储器的微观结构设计与超低功耗研究。目前主持国家自然科学基金面上项目1项,国家自然科学基金青年项目1项,湘潭大学科研启动项目1项,同时作为骨干成员参与了多项国家自然科学基金项目的研究。近年来,在Applied Physics LettersIEEE Transactions on Electron DevicesJournal of Applied Physics等国内外著名刊物上发表学术论文30余篇,研究成果得到国内外同行的热点关注和高度评价。

 

 

报告摘要:
      利用铁电薄膜负电容效应,降低MOS场效应晶体管的亚阈值摆幅,是一种降低微电子元器件操作电压和功耗的有效方法。负电容FET目前仍处于发展初期,它的研究虽然充满可能性和乐趣,但还存在很多悬而未决的问题。

 
 
[ 新闻资讯搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 关闭窗口 ]

 
0条 [查看全部]  相关评论

 
推荐图文
推荐新闻资讯
点击排行