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郑有炓，男，汉族，1935年10月1日生于福建大田，半导体材料与器件物理专家，中国科学院院士，南京大学教授，博士生导师，兼任国家重点基础研究发展计划（973计划）信息科学领域专家咨询组副组长，国家半导体照明工程研发及产业联盟指导委员会委员，《功能材料》特聘编委。

从事新型半导体异质结构材料与器件研究。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中，发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法和新技术。基于锗硅、Ⅲ族氮化物极化能带工程，发展了多种新器件。提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系。发现锗硅合金应变诱导有序化新结构，提出新模型。多年来与合作者发表SCI论文400余篇，发明专利30多项，获国家自然科学二等奖、国家技术发明三等奖、教育部自然科学一等奖和江苏省科技进步一等奖各1项以及省部级科技进步奖7项，还获光华科技基金一等奖和江苏省人才培养教学成果一等奖。